近日，据中科院官网消息，微电子所集成电路先导工艺研发中心研发团队研制出了一种高性能单晶硅沟道3DNOR储存器。NOR闪存以速度快、可靠性高和使用寿命长等优势，在人工智能、汽车电子和工业领域中发挥着不可替代的作用。目前普遍使用的平面NOR闪存在50纳米以下技术代的尺寸微缩遇到瓶颈，难以进一步提升集成密度、优化器件性能和降低制造成本。为突破上述瓶颈，研究人员提出了多种基于多晶硅沟道的三维NOR（3DN
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近日，据中科院官网消息，微电子所集成电路先导工艺研发中心研发团队研制出了一种高性能单晶硅沟道3DNOR储存器。NOR闪存以速度快、可靠性高和使用寿命长等优势，在人工智能、汽车电子和工业领域中发挥着不可替代的作用。目前普遍使用的平面NOR闪存在50纳米以下技术代的尺寸微缩遇到瓶颈，难以进一步提升集成密度、优化器件性能和降低制造成本。为突破上述瓶颈，研究人员提出了多种基于多晶硅沟道的三维NOR（3DN
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